半導體超凈實驗室（通常指潔凈度較高的實驗室，如千級潔凈實驗室）的設計規范涉及多個方面，以確保實驗室能夠滿足半導體生產、研發和測試的高標準要求。以下是對半導體超凈實驗室設計規范的詳細歸納：

1、潔凈度與空氣系統

依據ISO 14644-1或GB 50073標準，空氣潔凈度分為多個級別（如100級、1000級等），不同區域需達到相應標準核心區（光刻、晶圓加工）需達ISO 1~5級（0.1μm顆粒控制），采用HEPA/ULPA高效過濾與層流送風（換氣≥240次/小時），維持正壓梯度（≥5Pa），阻隔污染。

HEPA/ULPA過濾器：前端捕集≥0.3μm粒子，末端ULPA過濾≤0.12μm顆粒（10?級潔凈度）。

氣流模式：FFP209E標準下，單向流（Laminar Flow）換氣次數≥15次/h，亂流（Turbulent Flow）≥20次/h。

2、溫濕度與材料

溫度控制：通常將溫度控制在20~25℃之間，波動幅度不超過±2℃（也有說法為22±1℃）。

濕度控制：相對濕度保持在40%60%之間，波動幅度不超過±5%（也有說法為30%50%，允許誤差在±1%的范圍內）。為實現精準控制，建議采用集中式空調系統，并配備溫濕度傳感器，實現實時監測與調節。

3、布局與振動控制

實驗室應明確劃分為潔凈區、非潔凈區和輔助區域。潔凈區包括工藝操作間、設備間和測試間，用于半導體材料的處理、測試和存儲；非潔凈區包括辦公區、休息區以及物料存儲區，用于人員辦公、休息和物料的暫時存放；輔助區域則包括更衣室、風淋室、氣閘室等，用于人員的凈化處理。

分區設計（核心區、支持區、更衣區），生產、輔助及生活區域分開布置，減少交叉污染,人流/物流分離，設備間距≥1.5m。采用浮筑地板（隔振≤3Hz）與電磁屏蔽（銅網/鋼板），保障設備精度。

4、特種系統與安全

超純氣體（6N級）、超純水（18.2 MΩ·cm）及防泄漏管道系統；防火防爆、廢氣處理（洗滌塔/VOC吸附）與應急設施全方位保障安全。

建筑結構應具備一定的承重能力和抗震性能，選用耐火材料，符合消防規范,設置緊急疏散通道、消防設備和緊急停機按鈕等。進入無塵室的人員必須穿戴適當的潔凈服，并通過空氣淋浴去除攜帶的塵埃。

5、材料選擇與施工要求

結構材料：潔凈室墻壁和頂板建議采用50mm厚的夾芯彩鋼板制造（也有說法為防靜電彩鋼板），圓弧墻角、門、窗框等一般使用專用氧化鋁型材制作。地面可以選擇環氧自流平地坪或高級耐磨塑料地板（也有說法為使用密閉性良好的鋁蜂窩夾層板作為天花板材料）。送回風管道應采用熱鍍鋅板，并配備具有保溫效果的阻燃型PF發泡塑膠板。

燈具選擇：應選用潔凈燈具，避免灰塵積累或散射。

施工規范：嚴格執行潔凈室施工規范，確保每個密封接口的完整性，避免空氣滲漏造成污染。。

通過多維度協同設計，半導體超凈實驗室可在納米級工藝精度、百萬級潔凈度保持及全年99.999%可用性之間實現平衡，支撐5nm以下節點的量產需求。